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2023-08-10
對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數(shù)的良好控制之間取得平衡。 “隨著設計規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉向非?？焖俚?..
2023-08-09
1.離子束刻蝕（IBE）技術的原理？ 離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻...
2023-08-09
刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面：各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和縱向）以相同的...
2023-08-08
我們知道半導體工業(yè)的發(fā)展有一個很有名的“摩爾定律”，而保證半導體工業(yè)遵循“摩爾定律”發(fā)展的基石是光刻技術。光刻技術的發(fā)展始終有都有一個重要的...
2023-08-08
ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數(shù)里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應室內壁的情況對刻...
