聚焦離子束（FIB）技術(shù)是將離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后作用到樣品表面并進(jìn)行納米加工。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。聚焦離子束技術(shù)也是集形貌觀測、薄膜淀積、無掩模刻蝕和透射電鏡樣品制備等各功能于一體的新型微納加工技術(shù)。
　　主要構(gòu)成部分：離子源、離子光學(xué)柱、束描畫系統(tǒng)、X-Y工件臺(tái)和信號采集處理單元。
主要應(yīng)用：
一、形貌觀測
聚焦離子束轟擊樣品表面，激發(fā)二次電子、中性原子、二次離子和光子等，收集這些信號，經(jīng)處理顯示樣品的表面形貌。目前聚焦離子束系統(tǒng)成像分辨率已達(dá)到5nm，比掃描電鏡稍低，但成像具有更真實(shí)反映材料表層詳細(xì)形貌的優(yōu)點(diǎn)。 
二、無掩模蝕刻 
高能聚焦離子束轟擊樣品時(shí)，其動(dòng)能會(huì)傳遞給樣品中的原子分子，產(chǎn)生濺射效應(yīng)，從而達(dá)到不斷蝕刻，即切割樣品的效果。其切割定位精度能達(dá)到5nm級別，具有超高的切割精度。
三、薄膜淀積 
利用離子束的能量激發(fā)化學(xué)反應(yīng)來沉積金屬材料和非金屬材料。通過氣體注入系統(tǒng)將一些金屬有機(jī)物氣體噴涂在樣品上需要沉積的區(qū)域，當(dāng)離子束聚焦在該區(qū)域時(shí)，離子束能量使有機(jī)物發(fā)生分解，分解后的金屬固體成分被沉積下來，而揮發(fā)性有機(jī)物成分被真空系統(tǒng)抽走。
四、透射電鏡樣品制備 
通常透射電鏡的樣品厚度需控制在0.1微米以下。傳統(tǒng)方法是通過手工研磨和離子濺射減薄來制樣，不但費(fèi)時(shí)而且還無法精確定位。聚焦離子束在制作透射電鏡樣品時(shí)，不但能精確定位，還能做到不污染和損傷樣品。