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mems加工技術(shù)工藝與ic工藝區(qū)別
點(diǎn)擊量：3163 日期：2020-06-08 編輯：硅時(shí)代
MEMS加工技術(shù)工藝是根據(jù)產(chǎn)品需要，在各類(lèi)襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍(lán)寶石襯底等等）制作微米級(jí)微型結(jié)構(gòu)的加工工藝。而ic工藝則側(cè)重于半導(dǎo)體器件的制作，其襯底基本以硅襯底為主，少數(shù)特殊器件會(huì)使用GaAs/GaN等材料，其工藝核心是為了制作高集成度的各類(lèi)器件，目前已經(jīng)做到納米級(jí)，特征尺寸更加精細(xì)。
MEMS加工技術(shù)工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類(lèi)傳感器和執(zhí)行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動(dòng)結(jié)構(gòu)（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結(jié)構(gòu)等等）以及各種功能材料，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過(guò)微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號(hào)（電壓，電阻，電流等等）的差異，以實(shí)現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。
ic工藝則側(cè)重各類(lèi)半導(dǎo)體電學(xué)器件的加工，其工作都是圍繞各類(lèi)電學(xué)性能展開(kāi)，不涉及外界環(huán)境物理參數(shù)，其要求重點(diǎn)是各類(lèi)器件的高集成和高精度，加工尺寸根據(jù)摩爾定律有最初的微米級(jí)提升至目前的納米級(jí)。其涉及的各類(lèi)材料更多的考量電學(xué)性能優(yōu)化，不關(guān)注環(huán)境參數(shù)。
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